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首页 全部分类 BTS133BKSA1 vs IPP084N06L3GXKSA1

BTS133BKSA1备选型号: IPP084N06L3GXKSA1

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  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • Infineon Technologies
    BTS133BKSA1
    Infineon Technologies
    Power Switch ICs - Power Distribution HITFET
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    170 μs
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    HITFET®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    120mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    90W
    SINGLE
    未说明
    1
    not_compliant
    21A
    未说明
    1
    不合格
    N-Channel
    7A
    10V
    On/Off
    30μA
    低侧
    90W
    7A
    不需要
    7A
    Non-Inverting
    100 μs
    通用型
    不含卤素
    60V
    60V
    1:1
    60V Max
    60V
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    28A
    40m Ω
    OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP084N06L3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    SINGLE
    未说明
    -
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    79W
    -
    -
    -
    -
    15 ns
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    逻辑电平兼容
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 34μA
    4900pF @ 30V
    29nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    0.0084Ohm
    200A
    60V
    无SVHC
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