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首页 全部分类 BUJ100LR,412 vs APT27ZTR-G1

BUJ100LR,412备选型号: APT27ZTR-G1

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • RoHS状态
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 元素配置
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • WeEn Semiconductors
    BUJ100LR,412
    WeEn Semiconductors
    TRANS NPN 400V 1A TO-92
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    1A
    150°C TJ
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    BUJ100
    2.1W
    NPN
    10 @ 400mA 5V
    1mA
    1.5V @ 250mA, 750mA
    400V
    符合RoHS标准
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  • Diodes Incorporated
    APT27ZTR-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    450V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    800mW
    NPN
    15 @ 100mA 10V
    10μA
    500mV @ 40mA, 200mA
    450V
    ROHS3 Compliant
    通孔
    TO-92
    453.59237mg
    500mV
    2014
    150°C
    -55°C
    800mW
    NPN
    Single
    500mV
    800mA
    450V
    9V
    800mA
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