Diodes Incorporated APT27ZTR-G1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供应商器件包装

TO-92

质量

453.59237mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

800mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

800mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 100mA 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 40mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

450V

最大击穿电压

450V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

连续集电极电流

800mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant