BUJ105AB,118备选型号: KSB834WYTM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 无铅
- TRANS NPN 400V 8A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYESSILICON8A150°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliantIEC-134R-PSSO-G2SINGLECOLLECTOR125WSWITCHINGNPNNPN13 @ 500mA 5V100μA1V @ 800mA, 4A400V符合RoHS标准--------------------------
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON60V150°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼not_compliant-R-PSSO-G2---AMPLIFIERPNPPNP100 @ 5mA 5V100μA ICBO1V @ 300mA, 3A-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks表面贴装31.31247g-500mV2014yes-60V1.5W未说明-3A9MHz未说明KSB834不合格Single1.5W9MHz60V3A9MHz60V-60V-7V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NJVMJD45H11G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 50V 8A DPAK-4 | 对比 |




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