ON Semiconductor KSB834WYTM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-3A

频率

9MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSB834

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

9MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 300mA, 3A

转换频率

9MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅