BUK6510-75C,127备选型号: IRFB3607PBF
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- 安装类型
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB通孔TO-220-377A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2010Obsolete1 (Unlimited)3N-Channel10.4m Ω @ 25A, 10V2.8V @ 1mA5251pF @ 25V81nC @ 10V75V±16V2013-06-14 00:00:00Non-RoHS Compliant-------------------------------
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB通孔TO-220-380A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008活跃1 (Unlimited)-N-Channel9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V-±20V-ROHS3 Compliant12 WeeksTin通孔3SILICON3通孔EAR999MOhmSingle增强型MOSFET140WDRAIN16 nsSWITCHING110ns96 ns80A4VTO-220AB20V75V75V50 ns4 V9.017mm10.6426mm4.82mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF2807ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRFB3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |



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