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首页 全部分类 BUK652R3-40C,127 vs IRL1004PBF

BUK652R3-40C,127备选型号: IRL1004PBF

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK652R3-40C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    N-Channel
    2.3m Ω @ 25A, 10V
    2.8V @ 1mA
    15100pF @ 25V
    260nC @ 10V
    40V
    ±16V
    2013-06-14 00:00:00
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL1004PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
    通孔
    TO-220-3
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    6.5m Ω @ 78A, 10V
    1V @ 250μA
    5330pF @ 25V
    100nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    3
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    6.5mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    40V
    130A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    210ns
    14 ns
    130A
    1V
    TO-220AB
    16V
    40V
    520A
    40V
    700 mJ
    1 V
    8.77mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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