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首页 全部分类 BUK7514-60E,127 vs IPP120N06NGAKSA1

BUK7514-60E,127备选型号: IPP120N06NGAKSA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • NXP USA Inc.
    BUK7514-60E,127
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin TO-220AB Rail
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    58A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    13m Ω @ 15A, 10V
    1730pF @ 25V
    22.9nC @ 10V
    60V
    ±20V
    58A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N06NGAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    158W Tc
    4V @ 94μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    哑光锡
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    12m Ω @ 75A, 10V
    2100pF @ 30V
    62nC @ 10V
    60V
    ±20V
    -
    unknown
    符合RoHS标准
    通孔
    SILICON
    yes
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    260
    未说明
    不合格
    SWITCHING
    75A
    TO-220AB
    0.012Ohm
    60V
    280 mJ
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