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首页 全部分类 BUK7675-55A,118 vs BF998E6327HTSA1

BUK7675-55A,118备选型号: BF998E6327HTSA1

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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
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  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 增益
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  • 输入电容
  • 场效应管技术
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  • Nexperia USA Inc.
    BUK7675-55A,118
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    20.3A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8541.29.00.75
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    62W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 1mA
    483pF @ 25V
    50ns
    ±20V
    40 ns
    2.9A
    20V
    55V
    0.075Ohm
    55V
    81A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BF998E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    -
    TO-253-4, TO-253AA
    4
    -
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    2001
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    鸥翼
    4
    -
    -
    DUAL GATE, DEPLETION MODE
    -
    SOURCE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30mA
    8V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    150°C
    -55°C
    12V
    200mW
    DUAL
    30mA
    45MHz
    BF998
    SINGLE
    1
    10mA
    不含卤素
    N-Channel
    28dB
    0.03A
    1.2pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.8dB
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
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