BUK7909-75AIE,127备选型号: AUIRF1010Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB12 Weeks通孔TO-220-5NO5SILICON75A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2008e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFET272WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 50A, 10V4700pF @ 25V121nC @ 10V108ns±20V100 ns120A20V75V0.009Ohm75V480A739 mJ电流感应无符合RoHS标准------------
- INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V16 Weeks通孔TO-220-3-3SILICON75A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Single增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 75A, 10V2840pF @ 25V95nC @ 10V150ns-92 ns94A20V-0.0075Ohm55V---无ROHS3 CompliantTin通孔鸥翼26030R-PSSO-G22V75A16.51mm10.668mm4.826mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 75 V 3.4 mOhm 88 nC OptiMOS? Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
![]() | STP140NF75 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | STP80N70F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI | 对比 |






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