STMicroelectronics STP80N70F6
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STP80N70F6
2381-STP80N70F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
--最小包装量--
STP80N70F6详情
STMicroelectronics STP80N70F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
42 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
96A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
110W Tc
Turn Off Delay Time
102 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STP80N
配置
Single
功率耗散
110W
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 48A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5850pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
99nC @ 10V
上升时间
29ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
96A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
68V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP80N70F6拓展信息
STMicroelectronics
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