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BUK7K45-100EX备选型号: IPG20N10S4L35ATMA1
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK5612 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK568SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)653W鸥翼未说明未说明8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN53W2 N-Channel (Dual)SWITCHING37.6m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA1533pF @ 25V25.9nC @ 10V100V21.4A0.0376Ohm100V46 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-------------
Trans MOSFET N-CH 100V 20A12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)-43W-未说明未说明-------2 N-Channel (Dual)-35m Ω @ 17A, 10V2.1V @ 16μA1105pF @ 25V17.4nC @ 10V-20A----逻辑电平门ROHS3 CompliantAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e3EAR99Tin (Sn)not_compliant43W3 ns无卤素2ns13 ns16V100V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | STD25NF10LA | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
| STD25NF10LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 25A DPAK | 对比 |
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