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首页 全部分类 BUK7K45-100EX vs STD25NF10LA

BUK7K45-100EX备选型号: STD25NF10LA

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  • 配置
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  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K45-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    53W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    53W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    37.6m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    1533pF @ 25V
    25.9nC @ 10V
    100V
    21.4A
    0.0376Ohm
    100V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD25NF10LA
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 12.5A, 10V
    -
    1710pF @ 25V
    52nC @ 5V
    100V
    25A
    0.04Ohm
    -
    450 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2.5V @ 250μA
    STripFET™ II
    EAR99
    SINGLE
    STD25N
    100W
    20 ns
    40ns
    ±16V
    20 ns
    2.5V
    16V
    6.8mm
    无SVHC
    无
    无铅
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