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BUK7M27-80EX备选型号: IRFR540ZTRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 80V MLFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼未说明未说明8AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA1306pF @ 25V19.5nC @ 10V80V±20V30A0.027Ohm121A80V28.3 mJROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004活跃1 (Unlimited)2-鸥翼26030--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING28.5m Ω @ 21A, 10V4V @ 50μA1690pF @ 25V59nC @ 10V-±20V35A0.0285Ohm140A--ROHS3 Compliant3e3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCESingle91W14 ns42ns34 nsTO-252AA20V100V2.26mm6.7056mm6.22mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 对比 |
| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 对比 |
| FDD86381-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 25A DPAK | 对比 |
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