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首页 全部分类 BUK7M67-60EX vs IPD800N06NGBTMA1

BUK7M67-60EX备选型号: IPD800N06NGBTMA1

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7M67-60EX
    Nexperia USA Inc.
    BUK7M67-60E - N-channel 60 V, 67 mO standard level MOSFET in LFPAK33
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    67m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    334pF @ 25V
    6.7nC @ 10V
    60V
    ±20V
    14A
    0.067Ohm
    58A
    60V
    4 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD800N06NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    4
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 16μA
    370pF @ 30V
    10nC @ 10V
    60V
    ±20V
    16A
    0.08Ohm
    64A
    60V
    43 mJ
    符合RoHS标准
    no
    EAR99
    雪崩 额定
    47W
    7 ns
    38ns
    27 ns
    TO-252AA
    20V
    无
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