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BUK7Y59-60EX备选型号: PMPB40SNA,115
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 功率耗散
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK12 Weeks表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON17A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2013活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定鸥翼41Single增强型MOSFETDRAIN3.8 nsN-ChannelSWITCHING59m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA494pF @ 25V7.8nC @ 10V5.5ns±20V5.2 ns17AMO-23520V60V0.059Ohm60V67A8.8 mJROHS3 Compliant--
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN-表面贴装6-UDFN Exposed Pad-6-12.9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2004Obsolete1 (Unlimited)---6----9 nsN-Channel-43m Ω @ 4.8A, 10V3V @ 250μA612pF @ 30V24nC @ 10V23ns±20V-12.9A-20V60V----符合RoHS标准Tin1.7W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | 对比 |
| PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
 | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |
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