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首页 全部分类 BUK7Y72-80EX vs BUK9E15-60E,127

BUK7Y72-80EX备选型号: BUK9E15-60E,127

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7Y72-80EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK
    12 Weeks
    YES
    SC-100, SOT-669
    表面贴装
    4
    SILICON
    16A Tc
    2013
    TrenchMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    鸥翼
    4
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    633pF @ 25V
    9.8nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    5 ns
    16A
    MO-235
    20V
    80V
    0.072Ohm
    63A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK9E15-60E,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
    -
    NO
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    -
    SILICON
    54A Tc
    2012
    TrenchMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2651pF @ 25V
    20.5nC @ 5V
    -
    ±10V
    -
    -
    -
    -
    -
    0.015Ohm
    216A
    ROHS3 Compliant
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    54A
    60V
    40.5 mJ
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