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BUK7Y7R8-80EX备选型号: PMPB40SNA,115
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- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 触点镀层
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK12 WeeksYESSC-100, SOT-669表面贴装4SILICON100A Tc4V @ 1mA2013Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET238WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING7.8m Ω @ 25A, 10V5347pF @ 25V63.3nC @ 10V25ns±20V24 ns100AMO-23520V80V0.0078Ohm80VROHS3 Compliant-
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN--6-UDFN Exposed Pad表面贴装6-12.9A Tc3V @ 250μA2004Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)-------1.7W-9 nsN-Channel-43m Ω @ 4.8A, 10V612pF @ 30V24nC @ 10V23ns±20V-12.9A-20V60V--符合RoHS标准Tin- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |
| PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
 | BUK6E4R0-75C,127 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 对比 |
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