BUK9504-40A,127备选型号: IRF3703PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220ABTin通孔TO-220-3NO3SILICON75A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99逻辑电平兼容8541.29.00.75Single增强型MOSFET300WDRAIN62 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 25A, 10V8260pF @ 25V128nC @ 5V309ns±15V306 ns198ATO-220AB15V40V75A0.0059Ohm40V794A1600 mJ无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N-CH 30V 210A TO-220ABTin通孔TO-220-3-3SILICON14V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE-Single增强型MOSFET230WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 76A, 10V8250pF @ 25V209nC @ 10V123ns±20V24 ns210ATO-220AB20V-75A-30V--无ROHS3 Compliant12 Weeks通孔2.8Ohm30V250210A304V30V4 V15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7504-40A,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | 对比 | |
![]() | IRF2204PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRF3703PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB | 对比 |



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