BUK9507-30B,127备选型号: IRL8113PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.75
    3
    Single
    增强型MOSFET
    157W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 1mA
    3373pF @ 25V
    32nC @ 5V
    135ns
    ±15V
    98 ns
    90mA
    TO-220AB
    15V
    30V
    75A
    0.009Ohm
    30V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    105A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 21A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2840pF @ 15V
    35nC @ 4.5V
    38ns
    ±20V
    5 ns
    105A
    TO-220AB
    20V
    -
    42A
    -
    30V
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    6MOhm
    30V
    105A
    2.25V
    420A
    30V
    220 mJ
    27 ns
    2.25 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
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