BUK9507-30B,127备选型号: IRL8113PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 75A TO220ABTin通孔通孔TO-220-33SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.753Single增强型MOSFET157WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 25A, 10V2V @ 1mA3373pF @ 25V32nC @ 5V135ns±15V98 ns90mATO-220AB15V30V75A0.009Ohm30V无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N-CH 30V 105A TO-220ABTin通孔通孔TO-220-33SILICON105A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99--Single增强型MOSFET110WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 21A, 10V2.25V @ 250μA2840pF @ 15V35nC @ 4.5V38ns±20V5 ns105ATO-220AB20V-42A-30V无ROHS3 Compliant15 Weeks6MOhm30V105A2.25V420A30V220 mJ27 ns2.25 V8.77mm10.5156mm4.69mm无SVHCContains Lead, Lead Free
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL3803VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220 | 对比 |
![]() | IRL8113PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB | 对比 |
| FDP8874 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB | 对比 |



哦! 它是空的。