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首页 全部分类 BUK952R8-30B,127 vs IRLB8743PBF

BUK952R8-30B,127备选型号: IRLB8743PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK952R8-30B,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    71 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 25A, 10V
    10185pF @ 25V
    89nC @ 5V
    222ns
    ±15V
    195 ns
    75A
    TO-220AB
    15V
    30V
    30V
    950A
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8743PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    -
    SILICON
    140W Tc
    2.35V @ 100μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 40A, 10V
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    36 ns
    150A
    TO-220AB
    20V
    -
    30V
    620A
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    通孔
    2009
    通孔
    8.7MOhm
    1.8V
    78A
    30V
    44 ns
    1.8 V
    无SVHC
    无铅
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