BUK9535-55A,127备选型号: HUF76423P3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 无铅
- NEXPERIA - BUK9535-55A,127 - N CHANNEL MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 55V, 23A, 3TO220ABTin通孔通孔TO-220-334.535924gSILICON34A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99防静电Single增强型MOSFET85WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 25A, 10V1173pF @ 25V36ns±10V73 ns260mATO-220AB10V55V55V49 mJ9.4mm10.3mm4.5mm无符合RoHS标准----------
- MOSFET 20a 60V N-Channel 0.037Ohm-通孔通孔TO-220-331.8gSILICON35A Tc3V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeUltraFET™1999e3ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)3EAR99-Single增强型MOSFET85WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING30m Ω @ 35A, 10V1060pF @ 25V85ns±16V76 ns35ATO-220AB16V-60V-16.3mm10.67mm4.7mm无ROHS3 Compliant9 Weeksyes30mOhmTin (Sn)60V33A34nC @ 10V3V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLZ34NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRFZ34NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB | 对比 |
| HUF75321P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET | 对比 |



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