Nexperia USA Inc. BUK9535-55A,127

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

85W Tc

Turn Off Delay Time

96 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

防静电

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

85W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1173pF @ 25V

上升时间

36ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

73 ns

连续放电电流(ID)

260mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

55V

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

49 mJ

高度

9.4mm

长度

10.3mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准