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BUK9609-75A,118备选型号: BUK9E15-60E,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 表面安装
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- 配置
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK12 WeeksTin表面贴装YESTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc2V @ 1mA2011-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™e3活跃1 (Unlimited)2EAR998541.29.00.75鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN47 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 25A, 10V8840pF @ 25V185ns±10V226 ns75A10V75V0.00995Ohm75V440A562 mJ无ROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK--通孔NOTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON54A Tc2.1V @ 1mA2012-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™e3Obsolete1 (Unlimited)3---R-PSIP-T3-增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING13m Ω @ 15A, 10V2651pF @ 25V-±10V----0.015Ohm-216A40.5 mJ-ROHS3 CompliantTin (Sn)雪崩 额定SINGLEAEC-Q101; IEC-60134SINGLE WITH BUILT-IN DIODE20.5nC @ 5V60V54A60Vnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E15-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 对比 |
| BUK7E11-55B,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK | 对比 |
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