BUK98150-55A/CUF备选型号: PHT6N06T,135
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- JESD-30代码
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT22316 WeeksTin表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4SILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2014活跃1 (Unlimited)4DUAL鸥翼260304SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING137m Ω @ 5A, 10V2V @ 1mA320pF @ 25V5.3nC @ 5V57ns±15V13 ns5.5A15V55V0.161Ohm22A22 mJROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223--表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES-SILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997Obsolete1 (Unlimited)4DUAL鸥翼未说明未说明4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA175pF @ 25V5.6nC @ 10V-±20V----0.15Ohm22A15 mJROHS3 Compliant-e3EAR99Tin (Sn)防静电8541.29.00.75R-PDSO-G4不合格55V5.5A55V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | 对比 |
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |





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