BUK9K17-60EX备选型号: DMT6010LFG-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK568SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)653W鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN53W2 N-Channel (Dual)SWITCHING15.6m Ω @ 10A, 10V2.1V @ 1mA2223pF @ 25V16.5nC @ 5V60V26A0.017Ohm60V64 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant---------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-13A Ta 30A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)----------N-Channel-7.5m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA2090pF @ 30V41.3nC @ 10V-30A-----ROHS3 Compliant72.007789mge3EAR99Matte Tin (Sn)2.09nF未说明未说明1Single5.7 ns4.3ns±20V9.7 ns20V60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 对比 |
![]() | DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | 对比 |
![]() | IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 对比 |






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