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首页 全部分类 BUK9K18-40E,115 vs PMPB16XN,115

BUK9K18-40E,115备选型号: PMPB16XN,115

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K18-40E,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    19.5MOhm
    雪崩 额定
    38W
    鸥翼
    not_compliant
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4 ns
    38W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 1mA
    1061pF @ 25V
    14.5nC @ 10V
    4.6ns
    9.9 ns
    30A
    15V
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMPB16XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
    -
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    -
    SILICON
    7.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    无铅
    -
    6
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 7.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    775pF @ 15V
    10.8nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TIN
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    ±12V
    7.2A
    0.021Ohm
    28A
    30V
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