BUK9K52-60E,115备选型号: PMPB40SNA,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- Vgs(最大值)
- Dual N-Channel 60 V 49 mOhm 10 nC SMT Logic Level Mosfet - LFPAK5612 WeeksTin表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK56YES8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2014e3活跃1 (Unlimited)4EAR99雪崩 额定32WSINGLE鸥翼260not_compliant208AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G42Dual增强型MOSFET32WDRAIN6.2 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING49m Ω @ 5A, 10V2.1V @ 1mA725pF @ 25V10nC @ 10V10.1ns9 ns16A10V60V0.055Ohm64A11.9 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant--
- MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN-Tin表面贴装6-UDFN Exposed Pad-6-12.9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2004-Obsolete1 (Unlimited)---------------1.7W-9 nsN-Channel-43m Ω @ 4.8A, 10V-612pF @ 30V24nC @ 10V23ns-12.9A20V60V-----符合RoHS标准3V @ 250μA±20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | 对比 |
![]() | PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
| BUK9E15-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 对比 |





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