BUK9K52-60E,115备选型号: PMPB40SNA,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • Vgs(最大值)
  • Nexperia USA Inc.
    Dual N-Channel 60 V 49 mOhm 10 nC SMT Logic Level Mosfet - LFPAK56
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    雪崩 额定
    32W
    SINGLE
    鸥翼
    260
    not_compliant
    20
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    32W
    DRAIN
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    49m Ω @ 5A, 10V
    2.1V @ 1mA
    725pF @ 25V
    10nC @ 10V
    10.1ns
    9 ns
    16A
    10V
    60V
    0.055Ohm
    64A
    11.9 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
    -
    Tin
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    6
    -
    12.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.7W
    -
    9 ns
    N-Channel
    -
    43m Ω @ 4.8A, 10V
    -
    612pF @ 30V
    24nC @ 10V
    23ns
    -
    12.9A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3V @ 250μA
    ±20V
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