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首页 全部分类 BUK9K5R6-30EX vs IPB055N03LGATMA1

BUK9K5R6-30EX备选型号: IPB055N03LGATMA1

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  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K5R6-30EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    4
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    64W
    鸥翼
    8
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    64W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 10A, 5V
    2.1V @ 1mA
    2480pF @ 25V
    22.6nC @ 5V
    30V
    40A
    0.0058Ohm
    305A
    30V
    169 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB055N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    -
    3200pF @ 15V
    31nC @ 10V
    30V
    50A
    0.0078Ohm
    -
    -
    60 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2.2V @ 250μA
    OptiMOS™
    e3
    no
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    68W
    6.7 ns
    5.2ns
    ±20V
    4 ns
    20V
    无SVHC
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