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首页 全部分类 BUK9K8R7-40EX vs FDMS3664S

BUK9K8R7-40EX备选型号: FDMS3664S

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K8R7-40EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    53W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    Dual
    增强型MOSFET
    53W
    DRAIN
    10.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2110pF @ 25V
    15.7nC @ 5V
    19.8ns
    40V
    18.2 ns
    30A
    15V
    0.0094Ohm
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3664S
    ON Semiconductor
    MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A 25A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    1W
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    7.7 ns
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1765pF @ 15V
    29nC @ 10V
    -
    -
    -
    25A
    12V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    171mg
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    13A
    70 pF
    1.1mm
    5mm
    5.9mm
    无
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