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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.340657
10
¥9.755334
100
¥9.203147
500
¥8.682213
1000
¥8.190768
Nexperia USA Inc. BUK9K8R7-40EX
- 收藏
- 对比
BUK9K8R7-40EX
1729-BUK9K8R7-40EX
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
大陆
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MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
--最小包装量--
¥
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BUK9K8R7-40EX详情
Nexperia USA Inc. BUK9K8R7-40EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
20.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
53W
终端形式
鸥翼
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
53W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10.8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.7nC @ 5V
上升时间
19.8ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
18.2 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
漏极-源极导通最大电阻
0.0094Ohm
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9K8R7-40EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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