您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BUK9M10-30EX vs IRFH8330TRPBF

BUK9M10-30EX备选型号: IRFH8330TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M10-30EX
    Nexperia USA Inc.
    BUK9M10-30E - N-channel 30 V, 10 mO logic level MOSFET in LFPAK33
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    1249pF @ 25V
    12.2nC @ 5V
    30V
    ±10V
    54A
    0.01Ohm
    216A
    30V
    28.3 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    17A Ta 56A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    56A
    0.0066Ohm
    -
    -
    52 mJ
    ROHS3 Compliant
    8
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    40
    3.3W
    9.2 ns
    15ns
    5.7 ns
    20V
    25A
    30V
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN 对比
DMT3006LPS-13 DMT3006LPS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI 对比
NTMFS4839NT1G NTMFS4839NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN, 5 Leads MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 对比