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首页 全部分类 BUK9M12-60EX vs IRF60R217

BUK9M12-60EX备选型号: IRF60R217

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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • JEDEC-95代码
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M12-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
    26 Weeks
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    79W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2769pF @ 25V
    60V
    ±10V
    54A
    0.012Ohm
    216A
    60V
    50.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF60R217
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 58A
    12 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    58A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.9m Ω @ 35A, 10V
    3.7V @ 50μA
    2170pF @ 25V
    60V
    ±20V
    58A
    0.0099Ohm
    217A
    60V
    124 mJ
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    未说明
    未说明
    66nC @ 10V
    TO-252AA
    无铅
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