BUK9M12-60EX备选型号: IRFR7546TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK26 WeeksSOT-1210, 8-LFPAK33表面贴装表面贴装SILICON79W Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 15A, 10V2.1V @ 1mA2769pF @ 25V60V±10V54A0.012Ohm216A60V50.5 mJROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET N-CH 60V 71A DPAK12 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2007活跃1 (Unlimited)2-鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.9m Ω @ 43A, 10V3.7V @ 100μA3020pF @ 25V60V±20V56A0.0079Ohm280A60V-ROHS3 Compliant33.949996ge3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier未说明not_compliant未说明1Single8.1 ns87nC @ 10V28ns20 ns3.7VTO-252AA20V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR7546PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 对比 |
![]() | IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 71A DPAK | 对比 |
![]() | DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | 对比 |





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