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BUK9M156-100EX备选型号: DMN10H170SK3-13
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 终端形式
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- JESD-30代码
- 配置
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- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
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- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON9.3A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 10V695pF @ 25V7.4nC @ 5V100V±10V9.3A0.156Ohm37A100V9.6 mJROHS3 Compliant--------------
MOSFET N-CH 100V 12A TO25217 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON12A Tc3V @ 250μA-55°C~150°C TJDigi-Reel®-2013活跃1 (Unlimited)2-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 5A, 10V1167pF @ 25V9.7nC @ 10V-±20V12A---20 mJROHS3 Compliante3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1Single42W10.5 ns11.1ns12.8 ns20V100V无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |
 | DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | 对比 |
| BUK9M120-100EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | BUK9M120-100E - N-channel 100 V, 120 mO logic level MOSFET in LFPAK33 | 对比 |
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