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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.083225
10
¥5.738892
100
¥5.414047
500
¥5.107594
1000
¥4.818482
Nexperia USA Inc. BUK9M156-100EX
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- 对比
BUK9M156-100EX
1729-BUK9M156-100EX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1210, 8-LFPAK33
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MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
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¥
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BUK9M156-100EX详情
Nexperia USA Inc. BUK9M156-100EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1210, 8-LFPAK33
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
36W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
695pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.4nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±10V
连续放电电流(ID)
9.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.156Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
9.6 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9M156-100EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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