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首页 全部分类 BUK9M23-80EX vs BSC196N10NSGATMA1

BUK9M23-80EX备选型号: BSC196N10NSGATMA1

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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
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  • 资历状况
  • 功率耗散
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
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  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M23-80EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2808pF @ 25V
    20nC @ 5V
    80V
    ±10V
    37A
    0.023Ohm
    148A
    80V
    55.4 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC196N10NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    8.5A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    8
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    19.6m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 42μA
    2300pF @ 50V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    45A
    -
    -
    -
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    e3
    no
    EAR99
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    78W
    无卤素
    22ns
    3V
    20V
    100V
    无SVHC
    含铅
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