BUK9M6R6-30EX备选型号: STD86N3LH5
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON70A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.3m Ω @ 20A, 10V2001pF @ 25V18nC @ 5V30V±10V70A0.0066Ohm309A30V53 mJROHS3 Compliant---------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON80A Tc2.5V @ 250μA175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 40A, 10V1850pF @ 25V14nC @ 5V-±20V80A----ROHS3 Compliante3EAR995MOhmMatte Tin (Sn) - annealed260STD86Single70W6 ns14ns10.8 ns22V30V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD86N3LH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | 对比 |





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