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首页 全部分类 BUK9M7R2-40EX vs IRLR8726TRPBF

BUK9M7R2-40EX备选型号: IRLR8726TRPBF

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M7R2-40EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    8
    SILICON
    70A Tc
    2.1V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 20A, 10V
    2567pF @ 25V
    19.7nC @ 5V
    40V
    ±10V
    70A
    0.0072Ohm
    296A
    40V
    58.8 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    15 ns
    2.35V @ 50μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    86A
    0.058Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    75W
    12 ns
    49ns
    16 ns
    TO-252AA
    12V
    30V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无
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