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BUK9M9R1-40EX备选型号: BUK9M7R2-40EX
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON64A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.3m Ω @ 20A, 10V2048pF @ 25V16.2nC @ 5V40V±10V64A0.0091Ohm258A40V42.8 mJROHS3 Compliant- MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON70A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.8m Ω @ 20A, 10V2567pF @ 25V19.7nC @ 5V40V±10V70A0.0072Ohm296A40V58.8 mJROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH4007SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | 对比 |
| BUK9M7R2-40EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK | 对比 |
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252 | 对比 |
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