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首页 全部分类 BUK9Y07-30B,115 vs PMDPB95XNE,115

BUK9Y07-30B,115备选型号: PMDPB95XNE,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9Y07-30B,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    YES
    4
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    105W
    DRAIN
    25.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 25A, 10V
    2500pF @ 25V
    28.1nC @ 5V
    64.5ns
    ±15V
    64.8 ns
    75A
    MO-235
    15V
    30V
    0.008Ohm
    356A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMDPB95XNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    -
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    -
    -
    2.4A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    120m Ω @ 2A, 4.5V
    143pF @ 15V
    2.5nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    475mW
    1.5V @ 250μA
    30V
    逻辑电平门
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