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BUK9Y21-40E,115备选型号: PMPB16XN,115
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- 工厂交货时间
- 表面安装
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 颜色
- 附加功能
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 直径
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 端子位置
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 40V LFPAK12 WeeksYES表面贴装SC-100, SOT-6694Metal45W Tc2.1V @ 1mAAutomotive, AEC-Q1012013-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)Black, Clear雪崩 额定鸥翼1Single增强型MOSFETDRAIN6.2 nsN-ChannelSWITCHING17m Ω @ 10A, 10V824pF @ 25V7nC @ 5V9.7ns±10V8.2 ns33AMO-23515V40V40V15.875mm15.875mmnot_compliantROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN-YES表面贴装6-UDFN Exposed Pad6-7.2A Ta1.5V @ 250μA-2012-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3Obsolete1 (Unlimited)6TIN--无铅--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING21m Ω @ 7.2A, 4.5V775pF @ 15V10.8nC @ 4.5V-±12V---------ROHS3 Compliant-SILICONDUALIEC-60134S-PDSO-N6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30V7.2A0.021Ohm28A30V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | PMV20XN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin TO-236AB T/R | 对比 |
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