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首页 全部分类 BULT106D vs BUH51G

BULT106D备选型号: BUH51G

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  • 晶体管类型
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  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • STMicroelectronics
    BULT106D
    STMicroelectronics
    TRANS NPN 230V 2A SOT-32
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    3
    SILICON
    230V
    150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32W
    未说明
    unknown
    未说明
    BULT106
    3
    不合格
    Single
    32W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    230V
    2A
    10 @ 1A 5V
    250μA
    1.2V @ 400mA, 2A
    9V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BUH51G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 500V 3A TO-225
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    3
    SILICON
    500V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    50W
    260
    unknown
    40
    -
    3
    不合格
    Single
    -
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    500V
    3A
    8 @ 1A 1V
    100μA
    500mV @ 200mA, 1A
    10V
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    300mV
    SWITCHMODE™
    2006
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    800V
    3A
    23MHz
    50W
    23MHz
    23MHz
    800V
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