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首页 全部分类 BUZ32 vs FQP10N20C

BUZ32备选型号: FQP10N20C

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BUZ32
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    200V
    未说明
    9.5A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    N-Channel
    400m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 1mA
    530pF @ 25V
    40ns
    ±20V
    30 ns
    9.5A
    TO-220AB
    20V
    0.4Ohm
    200V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP10N20C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    200V
    -
    9.5A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    72W
    N-Channel
    360m Ω @ 4.75A, 10V
    4V @ 250μA
    510pF @ 25V
    92ns
    ±30V
    72 ns
    9.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    200V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    1.8g
    yes
    360mOhm
    11 ns
    SWITCHING
    26nC @ 10V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
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