Infineon Technologies BUZ32

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

9.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅