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首页 全部分类 BUZ73A vs FQP4N20L

BUZ73A备选型号: FQP4N20L

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  • 终端
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  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 螺纹距离
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BUZ73A
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    哑光锡
    200V
    未说明
    5.5A
    未说明
    不合格
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 1mA
    530pF @ 25V
    40ns
    ±20V
    30 ns
    5.5A
    TO-220AB
    20V
    5.8A
    0.6Ohm
    200V
    22A
    200V
    3 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N20L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    3.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    -
    3.8A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    N-Channel
    SWITCHING
    1.35 Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 250μA
    310pF @ 25V
    70ns
    ±20V
    40 ns
    3.8A
    TO-220AB
    20V
    3.6A
    -
    200V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    1.8g
    yes
    R-PSFM-T3
    7 ns
    5.2nC @ 5V
    52 mJ
    无
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