Vishay Siliconix IRF610PBF
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IRF610PBF
2265-IRF610PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
1最小包装量--
IRF610PBF详情
Vishay Siliconix IRF610PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
36W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
1.5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
200V
额定电流
3.3A
通道数量
1
电压
200V
元素配置
Single
功率耗散
36W
接通延迟时间
8.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2nC @ 10V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.9 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
140pF
恢复时间
310 ns
漏源电阻
1.5Ohm
最大rds
1.5 Ω
栅源电压
4 V
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF610PBF拓展信息








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