BYC8B-600,118备选型号: FFB10UP20STM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 二极管元件材料
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 应用
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 工作温度 - 结点
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 平均整流电流(Io)
- 相位的数量
- 反向恢复时间
- Rep Pk反向电压-最大值
- 最大非代表Pk前进电流
- 反向电流-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 元素配置
- 正向电流
- 最大浪涌电流
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 反向电压
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 辐射硬化
- 无铅
- DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAKYESTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装SILICON150°CTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)超快恢复SINGLE鸥翼not_compliantBYC8-600IEC-134R-PSSO-G2SINGLEFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard150μA @ 600V2.9V @ 8ACATHODE150°C Max500V8A152ns600V60A150μA符合RoHS标准------------------------
- DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装SILICON1Tape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)超快软恢复能力SINGLE鸥翼-FFB10UP20-R-PSSO-G2-Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard100μA @ 200V1.15V @ 10A--65°C~150°C--145 ns---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装31.31247gyesEAR99150°C-65°C自由旋转二极管8541.10.00.80共阳极10A100A200V10A100μA200V100A200V100A45 ns无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFB10UP20STM | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK | 对比 |
![]() | STTH10R04G-TR | STMicroelectronics | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK | 对比 |
![]() | STTH5R06G-TR | STMicroelectronics | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK | 对比 |




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