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首页 全部分类 BYW29-200G vs FFPF10UP20STU

BYW29-200G备选型号: FFPF10UP20STU

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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • ON Semiconductor
    BYW29-200G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-2
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    1
    Tube
    SWITCHMODE™
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    175°C
    -65°C
    超快恢复能力
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    200V
    260
    8A
    40
    BYW29-200
    2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 200V
    8A
    1.3V @ 20A
    CATHODE
    8A
    -65°C~175°C
    100A
    1.3V
    200V
    8A
    1
    35 ns
    5μA
    200V
    100A
    200V
    100A
    35 ns
    9.27mm
    10.29mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FFPF10UP20STU
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 10A TO220F
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-2 Full Pack
    -
    2
    2.565g
    SILICON
    1
    Tube
    -
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    超快软恢复
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    200V
    -
    10A
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 200V
    10A
    1.15V @ 10A
    ISOLATED
    10A
    -65°C~150°C
    100A
    1.15V
    200V
    10A
    1
    35 ns
    100μA
    200V
    100A
    200V
    100A
    35 ns
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
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