C0603C221K3GACTU备选型号: CL10C221KC8NNND

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  • 特征
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • 厚度(最大)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • Operating Temperature (Max)
  • Operating Temperature (Min)
  • 电容式
  • 辐射硬化
  • KEMET
    CAP CER 220PF 25V NP0 0603
    36 Weeks
    0603 (1608 Metric)
    Surface Mount, MLCC
    WRAPAROUND
    C0G
    2.012816mg
    25V
    2013
    SMD Comm C0G
    BULK CASSETTE; TR, PUNCHED PAPER, 7/13 INCH
    -55°C~125°C
    0.063Lx0.031W 1.60mmx0.80mm
    ±10%
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    C0G NP0
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    通用型
    8532.24.00.20
    220pF
    800μm
    1608
    0603
    C0G
    低ESL
    800μm
    0.8mm
    1.6mm
    0.034 0.87mm
    863.6μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Samsung Semiconductor
    -
    0603
    表面贴装
    WRAPAROUND
    C0G
    -
    100V
    -
    -
    TR, CARDBOARD, 13 INCH
    -
    -
    10%
    e3
    yes
    -
    -
    2
    -
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    8532.24.00.20
    220pF
    800μm
    -
    -
    C0G
    -
    800μm
    787.4μm
    1.6mm
    -
    889μm
    符合RoHS标准
    无铅
    125°C
    -55°C
    陶瓷电容器
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C1608C0G1H221K080AA C1608C0G1H221K080AA TDK Corporation 陶瓷电容器 0603 (1608 Metric) CAP CER 220PF 50V C0G 0603 对比
06031A221KAT2A 06031A221KAT2A NA 陶瓷电容器 0603 (1608 Metric) CAP CER 220PF 100V C0G/NP0 0603 对比
CL10C221KC8NNND CL10C221KC8NNND Samsung Semiconductor 陶瓷电容器 0603 对比